光刻工藝是半導(dǎo)體的一道核心制程，其性能直接影響芯片制造的精度和良率。高精度與良品率需要保持光刻膠（光致抗蝕劑，主要由樹脂、感光劑、溶劑和添加劑等組成，對光敏感，在光刻工藝過程中用作抗腐蝕涂層材料）在涂布、曝光、顯影等環(huán)節(jié)的穩(wěn)定性，除了工藝流程管理外，還需要在幾道烘烤工序中確保溫度控制精度與空間均勻度。

預(yù)烘干燥濕法晶圓涂膠前預(yù)處理，溫度140-160℃之間，去除晶圓表面吸附水分子，避免水分殘留，搭配HMDS，盡量防止光刻膠浮膠、針孔、脫層等影響附著力的幅面影響。

前烘又稱軟烘，去除膠膜上的大部分有機溶劑，釋放旋涂內(nèi)應(yīng)力，提升附著力，溫度較低，90~100℃。

后烘，是光刻工藝中曝光之后的光刻膠膜烘烤過程，目的是讓光刻膠中的光化學(xué)反應(yīng)充分完成，同時消除駐波，并為后續(xù)的顯影步驟做準備，又稱PEB（Post Exposure Bake）。典型的后烘條件90~130℃或更高，視工藝條件而定，參考光刻膠的使用說明。有研究顯示特殊工藝（如聚酰亞胺）可能需要在250°C以上進行后烘，在此期間對溫度偏差要求較高，≤ ±1℃。

堅膜硬烘又稱硬烘，是將顯影后的光刻膠中剩余的溶劑、顯影液、水及其他不必要的殘留成分通過加熱蒸發(fā)去除，以提高光刻膠與硅襯底的黏附性及光刻膠的抗刻蝕能力。 堅膜過程的溫度視光刻膠的不同及堅膜方法的不同而有所不同，以光刻膠圖形不發(fā)生形變?yōu)榍疤幔?yīng)使光刻膠變得足夠堅硬。同時不能靠近軟化溫度Ts。

回流烘顯影完成、硬烘之后，把成型矩形光刻膠圖形加熱至光刻膠軟化溫度Ts，依靠高分子熔融與表面張力，讓側(cè)壁圓角、頂部成球面，制備微透鏡、圓弧光學(xué)結(jié)構(gòu)。

去膠預(yù)處理針對干法刻蝕后光刻膠表層交聯(lián)碳化問題的熱輔助去膠工藝，高溫短時烘烤，使交聯(lián)表層發(fā)生熱分解（Thermal Decomposition）或熱氧化破壞交聯(lián)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，使其疏松化（Loosening）增加去膠液的滲透性。此過程可能需要沖入氮氣，防止過度氧化。此外，還有幾個場景需要用烘箱的，比如在光刻膠的制造過程中，也需要用到熱風(fēng)循環(huán)烘箱，烘干溫度110℃,適用于含有丙二醇甲醚醋酸(PGMEA)或者其他沸點相近的溶劑的測試樣品，用以測定固含量。或者在半導(dǎo)體晶片裝載盒的檢測中也要用到高溫烘箱，Tedlar采樣袋需要80℃烘烤16小時，然后裝載樣品后與空白對照采樣袋一起，再在65℃下加熱兩小時。

少量處理可用烤膠機加熱，較大批量處理則需要烘箱，同時需要考慮空氣潔凈度要求，及與EMS系統(tǒng)等的互聯(lián)互通。高溫烘烤其實貫穿在光刻工藝的全流程，多個場景都需要，或者干燥去除水分等溶劑，或者高溫?zé)崽幚恚行┉h(huán)節(jié)的溫控精度還相對較高。

此外，還有幾個場景需要用烘箱的，比如在光刻膠的制造過程中，也需要用到熱風(fēng)循環(huán)烘箱，烘干溫度110℃,適用于含有丙二醇甲醚醋酸(PGMEA)或者其他沸點相近的溶劑的測試樣品，用以測定固含量。或者在半導(dǎo)體晶片裝載盒的檢測中也要用到高溫烘箱，Tedlar采樣袋需要80℃烘烤16小時，然后裝載樣品后與空白對照采樣袋一起，再在65℃下加熱兩小時。